三星明年将推300层以上V-NAND_科技IT

三星明年将推300层以上V-NAND

科技IT 2023-10-22 uidhs168

存储器大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这将是业界最高层数。

三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Lee 在博客中写道，第九代V-NAND基于双层结构，层数将达到业界最高水平，将于明年初量产。

三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实非挥发性存储器已步入正轨，其层数有望超过竞争对手。

Jung-Bae Lee 指出，三星还在研究下一代具价值的技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出（I/O）速度的新结构。

虽然还不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何，但根据外媒报道，三星在即将推出的 SSD 中使用这种闪存。届时，就能看到三星采用 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后续产品。

报道指出，三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数，以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建1,000层以上3D NAND和闪存解决方案，确保产品适用于数据中心、PC等应用。

The End

免责声明：本文内容来源于第三方或整理自互联网，本站仅提供展示，不拥有所有权，不代表本站观点立场，也不构成任何其他建议，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容，请及时联系我们进行处理。

三星明年将推300层以上V-NAND

分类导航

最新文章

本栏文章

随机文章

友情链接

三星明年将推300层以上V-NAND

相关阅读

分类导航

最新文章

本栏文章

随机文章

友情链接