三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体

11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。

目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。

公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。

尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合起来”的功率半导体为中心，提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉；而安世半导体在元器件开发、生产和认证方面拥有数十年的丰富经验，现在同时提供高质量的宽禁带器件。

安世半导体双极性分立器件业务部资深副总裁兼总经理Mark Roeloffzen表示：“与三菱电机建立共赢的战略合作伙伴关系，标志着Nexperia在碳化硅技术领域取得了重大进展。与Nexperia的分立产品和封装技术的高质量标准和专业知识相辅相成，必将在两家公司之间产生积极的协同效应，最终帮助客户在其服务的工业、汽车以及消费市场提供高能效产品。”

三菱电机半导体与器件部执行官兼集团总裁Masayoshi Takemi博士表示：“Nexperia是业界领军企业，在高品质分立半导体领域拥有成熟的技术。我们很高兴与其达成联手开发合作协议，从而充分利用两家公司的半导体技术。”

封面图片来源：拍信网